据悉，SK海力士将在其下一代V10 NAND闪存中首次应用混合键合技术。该产品的堆叠层数将达到300+级别，较现有V9 NAND的321层有所突破。

　　传统NAND闪存采用单片晶圆制造存储阵列和外围电路，但随着层数增加，外围电路在堆叠过程中易出现故障。混合键合技术将存储阵列和外围电路分别在两块晶圆上制造，最后再键合为一体。

　　不过，实现高密度I/O连接的混合键合过程本身也相当复杂。SK海力士目前正在开发300+层堆叠的V10 NAND产品。IM股份有限公司IM股份有限公司